EUV光在產(chǎn)生和發(fā)射過(guò)程中不可避免的碎屑污染的問(wèn)題，除了利用電場(chǎng)、磁場(chǎng)、氣體吹拂等有利措施改變碎屑運(yùn)動(dòng)的方向，減少污染源進(jìn)入EUV光路外，采用對(duì)EUV光具有高透過(guò)率的薄膜元件實(shí)現(xiàn)對(duì)污染碎屑的阻擋和隔離是實(shí)現(xiàn)高分辨率圖案光刻的核心環(huán)節(jié)。新一代的EUV薄膜元件主要采用碳基材料，例如石墨烯薄膜和碳納米管（CNT）薄膜，相比于早期的晶體硅薄膜，碳基薄膜具有更高的EUV透過(guò)率，同時(shí)碳材料優(yōu)異的導(dǎo)熱性和機(jī)械穩(wěn)
EUV光在產(chǎn)生和發(fā)射過(guò)程中不可避免的碎屑污染的問(wèn)題，除了利用電場(chǎng)、磁場(chǎng)、氣體吹拂等有利措施改變碎屑運(yùn)動(dòng)的方向，減少污染源進(jìn)入EUV光路外，采用對(duì)EUV光具有高透過(guò)率的薄膜元件實(shí)現(xiàn)對(duì)污染碎屑的阻擋和隔離是實(shí)現(xiàn)高分辨率圖案光刻的核心環(huán)節(jié)。新一代的EUV薄膜元件主要采用碳基材料，例如石墨烯薄膜和碳納米管（CNT）薄膜，相比于早期的晶體硅薄膜，碳基薄膜具有更高的EUV透過(guò)率，同時(shí)碳材料優(yōu)異的導(dǎo)熱性和機(jī)械穩(wěn)定性，使得這類薄膜材料能夠滿足EUV光刻過(guò)程中的碎屑污染防護(hù)。
目前我司可以提供高質(zhì)量的極紫外碳納米管（CNT）保護(hù)膜，以用于極紫外、X射線相關(guān)的基礎(chǔ)研究。
圖1 極紫外碳納米管（CNT）保護(hù)膜含支架示意圖
主要參數(shù)：
保護(hù)膜尺寸：25mm/14.7mm直徑
釋氣材料：無(wú)
13.5nm透過(guò)率>80%
13.5nm透過(guò)率均勻性：+/1 %
粒子防護(hù)能力：>95%
眾星聯(lián)恒是EUV-X射線核心部件及解決方案供應(yīng)商，除了極紫外碳納米管（CNT）保護(hù)膜以外，我們還可以提供其他各類的極紫外、X射線濾片，如果自支撐金屬濾膜，多層膜反射濾片等詳情如下：
圖2 各類EUV、X射線濾片（部分有現(xiàn)貨）
