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紫外光刻-Mask Aligners

紫外光刻

2025-03-27 16:29:52 unistar
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依托尖端設備和豐富的經驗,我們能夠為客戶提供從設計到成品的一站式解決方案,涵蓋電子束光刻、激光直寫、X射線光刻、雙光子聚合、極紫外激光干涉光刻、紫外光刻、電鍍等多種核心技術。產品線包括菲涅耳波帶片、納米級光柵、金剛石光學器件、納米分辨率測試卡、3D分辨率測試卡等。菲涅耳波帶片分辨率可低至<10nm,憑借獨特的 Ir-線倍增技術,可以獲得精確到 5nm 的 X 射線束聚焦。

紫外光刻

紫外光刻是一種使用紫外光通過掩模將圖案轉移到光刻膠上的技術,而Mask Aligner(掩模對準器)則是實現這一技術的關鍵設備。通過將掩模上的精細圖案精確轉移到涂覆了光刻膠的硅片上。這一過程不僅要求極高的對準精度,還需要高效的生產效率。Mask Aligner的出現極大地推動了半導體技術的發(fā)展,使得更復雜、更精細的電路成為可能,適用于大規(guī)模生產和多材料圖案化。

設備: SUSS MA8-BA6 、SUSS MA6-BA6

  • 支持6/8英寸晶圓的精確對準和曝光,分辨率可達800nm。

  • 提供頂部和底部對準選項,確保高精度圖案轉移。


典型應用

  • 廣泛材料的圖案轉移,適用于半導體、光學器件等領域。

  • 膜狀晶圓和其他特殊基底的加工。


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