如此輕松！30分鐘快速搭建X射線相襯、暗場成像光柵裝置
模塊化 高性價比 X射線相襯 暗場成像套件
與傳統(tǒng)的X射線吸收成像相比，X射線相位襯度成像能夠為輕元素樣品提供更高的襯度，特別適合用于對軟組織和輕元素構(gòu)成的樣品進行成像。
目前主要存在5類相襯成像方式，他們大部分對光源的相干性要求極高，只能在同步輻射光源或者借助微焦點X射線源實現(xiàn)。而光柵法相襯成像，經(jīng)過十多年的發(fā)展，已經(jīng)成為在實驗室實施相襯成像實驗的主流技術(shù)路線。
但是，高深寬比和大視場光柵的制作一直是困擾研究人員的一個痛點，LIGA技術(shù)的出現(xiàn)及成熟，使得此類光柵的制作變得更加的容易及可靠。
基于X射線相襯成像的光柵利用Talbot自成像效應(yīng)來獲取有關(guān)X射線因折射和散射而產(chǎn)生的微小角度偏轉(zhuǎn)的信息。這在醫(yī)學(xué)成像和材料研究等各個領(lǐng)域都有潛在的應(yīng)用。
但是對于剛進入這一研究領(lǐng)域的科研工作者或者單純想快速獲得相襯圖片的用戶來說，繁瑣的光柵參數(shù)模擬、全新開模制作光柵價格昂貴、精密平移臺的選擇及精密調(diào)節(jié)都將耗費大量的精力。
為了解決這個問題，德國microworks公司推出了一套模塊化、高性價比的X射線相襯、暗場成像套件-TALINT EDU。
-TALINT套件-
Microworks的TALINT EDU系統(tǒng)是一款結(jié)構(gòu)緊湊、物美價廉的TALbot干涉儀套件。它是X射線Talbot-Lau干涉儀的巧妙簡化形式，包括了建立和微調(diào)干涉儀所有必要的硬件，通過相位步進步驟來獲得三種成像模式應(yīng)用：吸收成像、相襯成像和暗場成像。
使用者可以在不到半小時的時間內(nèi)快速組裝。對于這個簡化的系統(tǒng)來說，圖像采集是手動的，在相位步進過程中獲得的圖像非常適合于圖像分析科學(xué)家。
- TALINT EDU包裝一覽 -
Talint-EDU 套件主要參數(shù)
套件規(guī)格
| 套件尺寸 | 60cm x15cm x20cm |
| 安裝 | EDU套件底板為M6螺孔，孔間距25mm的面包板，可安裝于用戶的光學(xué)平臺或任何適合 25mm 間距的裝置 |
| G0-G1和G1-G2距離 | 29cm，通過精密定位銷固定；對稱安裝 |
| 方案1：所有3個光柵角靈敏度的設(shè)計能量周期（光柵周期超過光柵間距） | 40 keV 6.0 μm 21 μrad |
| 方案2：所有3個光柵角靈敏度的設(shè)計能量周期 | 21 keV 4.8 μm 16 μrad |
| 典型值>15% |
光柵組選項 （含3塊光柵）
| 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格參數(shù) | 設(shè)計能量-40 keV | 設(shè)計能量-21 keV |
| 光柵周期（3塊） | 6.00μm | 4.80μm |
| G0 G2 吸收材料及高度 | 金＞150μm | 金＞50μm |
| G0 G2 光柵占空比 | 0.55（容差范圍0.5-0.6） | 0.55（容差范圍0.5-0.6） |
| G0 G2 光柵襯底 | 石墨 400μm | 石墨 400μm |
| G1 相移材料及高度 | Gold 7.7 μm (40 keV) | Nickel 7.4 μm (21 keV) |
| G1 光柵占空比 | 0.5（容差范圍0.45-0.55） | 0.5（容差范圍0.45-0.55） |
| G1 光柵基底 | 硅 200μm | 硅 200μm |
| 視場范圍（樣品） | 35mm | 35mm |
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應(yīng)用示例
1. CFRP拉伸試驗試棒
吸收像
相位像
暗場像
- 相襯成像增強了空腔折射信號的成像襯度
- 暗場成像增強了由纖維束引起的散射信號的成像襯度
2. 裂紋損傷
吸收像 暗場像
- 暗場成像增強了發(fā)絲狀裂紋散射信號的成像襯度
3. 3D打印鈦波紋管
照片
吸收像
暗場像
- 暗場成像增強了殘留粉末散射信號的成像襯度
Microworks 代理產(chǎn)品
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德國Microworks公司基于及獨特的LIGA技術(shù)，向廣大科研用戶提供定制化的微結(jié)構(gòu)加工服務(wù)。其中，它的X射線透射光柵在相襯成像領(lǐng)域，有著極高的聲譽。
北京眾星聯(lián)恒科技有限公司作為Microworks公司中國區(qū)授權(quán)總代理商，為中國客戶提供Microworks所有產(chǎn)品的售前咨詢，銷售及售后服務(wù)。我司始終致力于為廣大科研用戶提供專業(yè)的EUV、X射線產(chǎn)品及解決方案。如果您有任何問題，歡迎聯(lián)系我們進行交流和探討。